氧缺位对YBa2Cu3O7—x超导体中临界电流密度和磁弛豫行为的影响 |
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作者姓名: | 张宏 吴鸿 |
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作者单位: | 中国科学院上海冶金研究所,中国科学院上海冶金研究所,上海科学技术大学,中国科学院上海冶金研究所 上海 200050,上海 200050,92届毕业实习生,上海 200050 |
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摘 要: | 用梯化曲线和磁驰豫测量研究了缺氧YBa2CuO7-x超导体中氧缺位对磁通行为的影响。实验表明:在低氧缺位时临界电流密度随氧缺位x的增加稍有增加,且随磁场的增加出现一高起的平面,当氧缺位x进一步增加,临界电流密度下降,且随磁场增加单调下降。零场冷却(XFC),长场至固定磁场后磁化强度随时间依半对数关系衷减,磁通蠕动的热激活能随氧缺位x的增加而下降。
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关 键 词: | 超导体 氧缺位 临界电流 磁弛豫 |
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