| 温度、Ge含量和掺杂浓度对Si_(1-x)Ge_x禁带宽度的影响 |
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| 引用本文： | 金海岩,张利春.温度、Ge含量和掺杂浓度对Si_(1-x)Ge_x禁带宽度的影响[J].半导体学报,2001,22(9):1122-1126. |
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| 作者姓名： | 金海岩 张利春 |
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| 作者单位： | 北京大学微电子学研究所，北京100871 |
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| 摘 要： | 提出了锗硅材料禁带宽度随锗含量、温度及掺杂浓度变化的经验公式 ,改善了以往经验公式局限性较大的缺点 ,拓宽了公式的使用范围 .分析并计算了不同温度、掺杂浓度以及不同材料的禁带变窄量 ,与实验数据进行了对比 ,两者符合得很好 .
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| 关 键 词： | 锗硅材料 禁带变窄量 费米能级 简并半导体 |
| 文章编号： | 0253-4177(2001)09-1122-05 |
| 修稿时间： | 2000年11月14日 |
Bandgap Narrowing of Strained Si1-xGex as a Function of Ge Fraction,Temperature and Impurity Concentration |
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| JIN Hai-yan and ZHANG Li-Chun.Bandgap Narrowing of Strained Si1-xGex as a Function of Ge Fraction,Temperature and Impurity Concentration[J].Chinese Journal of Semiconductors,2001,22(9):1122-1126. |
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| Authors: | JIN Hai-yan and ZHANG Li-Chun |
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| Abstract: | An empirical method is proposed for determining the total bandgap narrowing in the base of a SiGe HBT,which is a function of temperature,impurity concentration and germanium fraction.Calculated values have been obtained for a wide range of boron base doping concentrations at different temperatures.The results are very comparable with the theoretical and experimental results given by the literature. |
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| Keywords: | SiGe base material bandgap narrowing Fermi level degenerate semiconductor |
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