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原子光刻
引用本文:巨新,WANG Zhong-Ping. 原子光刻[J]. 物理, 2009, 38(1)
作者姓名:巨新  WANG Zhong-Ping
作者单位:1. 南京大学物理系,南京,210093
2. National Institutefor Materials Science 1-2-1,Sengen,Tsukuba,Ibaraki 305-0047,Japan
摘    要:与光子和电子不间,原子的激发亚稳态具有方便操作的内能态结构,这使利用内能态的光学淬灭原理实现光刻技术成为现实.基于原子光学的中性原子束光刻技术是下一代光刻技术(the next generation lithography,NGL)的一种,它可分两种途径实现:激光驻波原子直沉积技术和亚稳态中性原子光刻技术.前者可以实现图案的纳米尺度特征、大面积平行沉积和高分辨率;后者结合有效的抗蚀剂,同样可以实现纳米图形制造,在基板上获得的尖锐边缘分辨率目前可达40 nm.两种途径的原理相差甚远,但最终获得的结果相似.

关 键 词:原子光刻  原子光学  微纳米制造

Atom lithography
JU Xin,WANG Zhong-Ping. Atom lithography[J]. Physics, 2009, 38(1)
Authors:JU Xin  WANG Zhong-Ping
Abstract:
Keywords:
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