| 射频磁控溅射CaS∶TmF_3薄膜的电致发光及其激发过程的研究 |
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| 引用本文： | 孙甲明,钟国柱,范希武,郑陈玮.射频磁控溅射CaS∶TmF_3薄膜的电致发光及其激发过程的研究[J].发光学报,1998(1). |
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| 作者姓名： | 孙甲明 钟国柱 范希武 郑陈玮 |
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| 作者单位： | 中国科学院激发态物理开放研究实验室，中国科学院长春物理研究所 |
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| 基金项目： | 中国国家“863”高技术项目和美国惠普公司合作项目 |
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| 摘 要： | 首次报道了射频磁控溅射ＣａＳ∶ＴｍＦ３薄膜的蓝色交流电致发光．电致发光谱包含位于４８０、６５３、７０３和８０３ｎｍ的四组发光峰，分别对应着三价Ｔｍ３＋离子的１Ｇ４→３Ｈ６、１Ｇ４→３Ｈ４、３Ｆ３→３Ｈ６和３Ｆ４→３Ｈ６的电子跃迁发光．通过对ＣａＳ∶ＴｍＦ３粉末的激发光谱的研究，我们发现由于蓝峰和红外峰的激发峰的能量不同导致不同能量的光子激发下的光致发光光谱的红外／蓝峰的强度比有较大的差别．通过对电致发光光谱中红外／蓝峰强度比与不同波长的激发光激发下ＣａＳ∶ＴｍＦ３粉末的光致发光光谱的红外／蓝峰强度比的对比研究，我们判断主要激发过程为从基质到Ｔｍ３＋中心的能量传递．
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| 关 键 词： | 电致发光，硫化钙，氟化铥，磁控溅射，激发过程 |
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