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| 石墨烯折角场发射特性EI北大核心CSCD | |
| 作者姓名： | 王小力 庞凯歌 刘卫华 李昕 田康 尹艳南 张娟 |
| 作者单位： | 1.西安交通大学理学院710049;2.西安交通大学电信学院710049; |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(Nos.61172040；91123018；61172041；60801022)；国家高技术研究发展计划重点项目平板显示器(No.2008AA03A314)；教育部直属高校基本科研业务费资助 |
| 摘 要： | 针对直立的石墨烯边沿悬挂键易吸附气体分子,影响发射稳定性的问题,本文将石墨烯转移到墙状绝缘结构上,获得石墨烯折角.结合电感耦合等离子体刻蚀和湿法腐蚀法在硅衬底上制得墙状绝缘结构,以石墨烯折角作为场发射尖端,测试研究了石墨烯折角的场发射特性和石墨烯中内导电流对场发射的影响.结果表明:石墨烯折角的场发射开启场强为9.6V/μm;在2 000V阳极电压下,当石墨烯两端偏压从0V增加到10V时,场发射电流从4.5μA增加到15μA. |
| 关 键 词： | 石墨烯 电感耦合等离子体刻蚀 场发射 内导电流 偏压 |
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