| 一种适用于短沟道LDD MOSFET参数提取的改进方法 |
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| 引用本文： | 于春利,郝跃,杨林安.一种适用于短沟道LDD MOSFET参数提取的改进方法[J].半导体学报,2004,25(10):1215-1220. |
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| 作者姓名： | 于春利 郝跃 杨林安 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子研究所,西安710071 |
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| 摘 要： | 提出了一种适用于短沟道L DD MOSFET的改进型参数提取方法,通过对栅偏压范围细分后采用线性回归方法,提取偏压相关参数,保证了线性回归方法的精度和有效性,避免了对栅偏压范围的优化和误差考虑.提取出的参数用于已建立的深亚微米L DD MOSFET的I- V特性模型中,模拟与测试数据的吻合表明了该方法的实用性
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| 关 键 词： | 轻掺杂漏MOSFET 参数提取 寄生串联电阻 迁移率 |
A Novel Technique of Parameter Extraction for Short Channel Length LDD MOSFETs |
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| Keywords: | LDD MOSFET parameter extraction parasitic se ries resistance mobility |
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