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摘 要:
正红外光电探测器由于在国防领域的重要性,是现代科技追逐的制高点之一,也是科学技术壁垒极高的研究领域。暗电流抑制是长期以来制约红外探测器实现高工作温度的瓶颈问题。然而在传统的pn结探测器中,耗尽区过高的SRH复合和表面复合严重限制暗电流抑制的理论极限。
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