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| 低温下InAs纳米结构在GaAs(001)表面形成机制的研究 | |
| 作者姓名： | 王一 丁召 杨晨 罗子江 王继红 李军丽 郭祥 |
| 摘 要： | 改变生长工艺、控制并调整液滴中原子扩散机制是对复杂纳米结构制备的关键途径,并且对基于液滴外延方法研究半导体纳米结构十分重要.本文在不同衬底温度,不同As压下在GaAs(001)上沉积相同沉积量(5 monolayer)的In液滴并观察其表面形貌的变化.原子力显微镜图像显示,液滴晶化后所形成的扩散盘且呈现一定的对称性... |
| 关 键 词： | InAs纳米结构 表面扩散 液滴外延 |
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