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| 高功率转换效率905 nm垂直腔面发射激光器的设计与制备 | |
| 作者姓名： | 赵壮壮 荀孟 潘冠中 孙昀 周静涛 王大海 吴德馨 |
| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号:61804175)； |
| 摘 要： | 通过对影响垂直腔面发射激光器(vertical cavity surface emitting laser, VCSEL)的功率转换效率的因素进行理论分析,得出斜率效率是影响功率转换效率的主要因素的结论.为获得高功率转换效率,通过对有源区量子阱、P型和N型分布布拉格反射镜(DBR)等进行优化,设计出了905 nm VCSEL的外延结构并进行了高质量外延生长.成功制备出了不同氧化孔径的905 nm VCSEL器件,获得的最大斜率效率为1.12 W/A,最大转换效率为44.8%.此外,探究了氧化孔径对VCSEL的远场和光谱特性的影响.这种具有高功率转换效率的905 nm VCSEL器件为激光雷达的小型化、低成本化提供了良好的基础数据. |
| 关 键 词： | 905 nm垂直腔面发射激光器 高功率转换效率 外延结构设计 器件制备 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |