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| 原子错位堆栈增强双层MoS_2高次谐波产率 | |
| 摘 要： | 本文采用数值求解多能带半导体布洛赫方程组的方法开展强激光与双层MoS_2材料相互作用产生高次谐波的理论研究.模拟发现, T型堆栈双层MoS_2产生的高次谐波在高能区域的转换效率比AA型堆栈双层MoS_2高一个数量级.理论分析表明,由于原子级错位堆栈下晶体对称性被打破,使原有的部分带间禁戒跃迁路径被打开,带间跃迁激发通道增加,大大增大了载流子跃迁概率,从而增强了高次谐波转换效率.此外,对谐波产率的波长定标研究表明,在较长波长的激光驱动下( 2000 nm), T型堆栈下所增强的高次谐波具有更高的波长依赖.该工作为如何优化增强固体高次谐波的转换效率提供一种新思路. |
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