| MgB2超导薄膜的微波测量 |
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| 引用本文： | 王淑芳,B. B. Jin,刘 震,周岳亮,陈正豪,吕惠宾,程波林,杨国桢.MgB2超导薄膜的微波测量[J].物理学报,2005,54(5):2325-2328. |
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| 作者姓名： | 王淑芳 B. B. Jin 刘 震 周岳亮 陈正豪 吕惠宾 程波林 杨国桢 |
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| 作者单位： | 河北大学物理科学与技术学院，保定 071002;中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家实验室， 北京 100080;Forchungszentrum Julich, Institute of Thin Films and Interfaces, D-52425 Julich, Germany;中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家实验室， 北京 100080;中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家实验室， 北京 100080;中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家实验室， 北京 100080;中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家实验室， 北京 100080;中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家实验室， 北京 100080;中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家实验室， 北京 100080 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究专项经费（批准号：199064604）资助的课题. |
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| 摘 要： | 报道了利用蓝宝石介质谐振器技术测量MgB2超导薄膜的微波表面电阻Rs、0K时的穿透深度λ(0)和超导能隙Δ(0).λ(0)和Δ(0)的值是通过先测量样品穿透深度λ(T)的变化量Δλ(T)，然后由BCS理论模型拟合Δλ(T)的实验数据得到的.测试样 品是利用化学气相沉积技术在MgO(111)基片上制备的c轴织构的MgB2超导薄膜， 薄膜的超导转变温度和转变宽度分别为38K和01K.微波测试结果表明在10K，18GHz下M gB2薄膜的Rs约为100μΩ，可以和高质量的YBCO薄膜的Rs值相比拟；BCS理论拟合得到的MgB2超导薄膜的λ(0)=102nm，Δ(0)=113k Tc.
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| 关 键 词： | 微波表面电阻， 穿透深度， MgB2超导薄膜 |
| 文章编号： | 1000-3290/2005/54(05)2325-04 |
| 修稿时间： | 2004年8月18日 |
Microwave measurements of the MgB2 thin film |
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| Wang Shu-Fang.Microwave measurements of the MgB2 thin film[J].Acta Physica Sinica,2005,54(5):2325-2328. |
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| Authors: | Wang Shu-Fang |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | microwave surface resistance penetration depth MgB2 thin film |
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