| InAs/GaAs和InAs/InxGa1-xAs/GaAs纳米线异质结构的生长研究 |
| |
| 作者姓名： | 叶显 黄辉 任晓敏 郭经纬 黄永清 王琦 张霞 |
| |
| 作者单位： | 北京邮电大学,信息光子学与光通信教育部重点实验室,北京 100876 |
| |
| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(批准号:2010CB327600),"111"计划项目(批准号:B07005),国家高技术研究发展计划(批准号:2009AA03Z405, 2009AA03Z417),中央高校基本科研业务费专项资金(批准号:BUPT2009RC0409, BUPT2009RC0410)资助的课题. |
| |
| 摘 要： | 利用金辅助金属有机化学气相沉淀法(MOCVD)在GaAs(111)B衬底上分别制备了InAs/GaAs和InAs/In x Ga1-xAs/GaAs(0≤x≤1)纳米线异质结构.实验结果显示,直接生长在GaAs纳米线上的InAs纳米线生长方向杂乱或者沿着GaAs纳米线侧壁向衬底方向生长,生长的含有In x Ga1-xAs组分渐变缓冲段的InAs/In x Ga1-x关键词：
纳米线异质结构
xGa1-xAs')" href="#">InxGa1-xAs
组分渐变缓冲层
金属有机化学气相沉淀法
|
| 关 键 词： | 纳米线异质结构 InxGa1-xAs 组分渐变缓冲层 金属有机化学气相沉淀法 |
| 收稿时间： | 2010-01-11 |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
|
