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Al-Y共掺杂ZnO透明导电薄膜制备及光电性能研究
引用本文:阳生红,蒋志洁,张曰理,汤健,王旭升.Al-Y共掺杂ZnO透明导电薄膜制备及光电性能研究[J].中山大学学报(自然科学版),2011,50(6).
作者姓名:阳生红  蒋志洁  张曰理  汤健  王旭升
作者单位:中山大学光电材料与技术国家重点实验室//物理科学与工程技术学院;山东大学晶体材料国家重点实验室;
基金项目:国家自然科学基金资助项目(61176010,61172027); 广东省自然科学基金资助项目(S2011010001397)
摘    要: 采用溶胶 凝胶法,在玻璃衬底上制备出Al-Y共掺杂的ZnO透明导电薄膜。X射线衍射(XRD)表明,Al-Y共掺杂ZnO透明导电薄膜为六角纤锌矿结构的多晶薄膜,且具有C轴择优取向。制备的Al-Y共掺杂ZnO薄膜电阻率最小值为1.63×102 Ω·cm,在可见光区(400-800 nm)平均透过率超过85 %。

关 键 词:Al-Y共掺杂  ZnO透明导电薄膜  溶胶-凝胶
收稿时间:2010-10-01;

Synthesis and Optoelectrical Properties of Al-Y Co-doped ZnO Transparent Conducting Thin Films
YANG Shenghong,JIANG Zhijie,ZHANG Yueli,TANG Jian,WANG Xusheng.Synthesis and Optoelectrical Properties of Al-Y Co-doped ZnO Transparent Conducting Thin Films[J].Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Sunyatseni,2011,50(6).
Authors:YANG Shenghong  JIANG Zhijie  ZHANG Yueli    TANG Jian  WANG Xusheng
Institution:YANG Shenghong1,JIANG Zhijie1,ZHANG Yueli1,2,TANG Jian1,WANG Xusheng1(1.State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies // School of Physics & Engineering,Sun Yat-sen University,Guangzhou 510275,China,2.State Key laboratory of Crystal Material,Shandong University,Jinan,250100,China)
Abstract:The Al-Y co-doped ZnO tranparent conducting thin films were prepared on glass by Sol-Gel method. X-ray diffraction (XRD) showed they have hexagonal wurtzite structure with a C-axis preferred orientation. Its minimum resistivity is 1.63×102 Ω·cm, and the average transmittance in the visible region (400-800 nm) is beyond 85 %.
Keywords:Al-Y co-doping  ZnO tranparent conducting film  Sol-Gel method  
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