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复合缺陷型电磁帯隙谐振腔
作者姓名:柏宁丰  洪玮  孙小菡
作者单位:东南大学电子器件与系统可靠性研究中心,南京 210096
摘    要:提出了一种复合缺陷型电磁带隙(EBG)谐振腔,通过对该EBG结构的带隙分析,指出该谐振腔可在大尺寸下实现单模工作,提供更大的容差空间,且具有高Q值.数值模拟结果表明,基于复合缺陷EBG结构构成的谐振腔,单模工作条件可以放宽到外圈金属柱直径与周期之比为0.6,内圈金属柱直径与周期比为0.9;而传统中心缺陷型EBG结构的小于0.3. 关键词: 电磁带隙 复合缺陷 谐振腔 单模

关 键 词:电磁带隙  复合缺陷  谐振腔  单模
收稿时间:2009-11-27
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