| 在Si和GaAs衬底上分子束外延CdTe的晶格应变 |
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| 引用本文： | 王元樟,陈路,巫艳,吴俊,于梅芳,方维政,何力.在Si和GaAs衬底上分子束外延CdTe的晶格应变[J].人工晶体学报,2005,34(4):729-733. |
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| 作者姓名： | 王元樟 陈路 巫艳 吴俊 于梅芳 方维政 何力 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海技术物理研究所功能材料与器件研究中心,上海,200083;中国科学院研究生院,北京,100039;中国科学院上海技术物理研究所功能材料与器件研究中心,上海,200083 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金（No.60221502）和中国科学院上海技术物理所创新项目资助 |
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| 摘 要： | 本文利用高分辨率多重晶多重反射X射线衍射技术对分子束外延CdTe(211)B/ Si(211)与CdTe(211)B/GaAs(211)B材料的CdTe外延薄膜进行了倒易点二维扫描,并通过获得的倒易点二维图,对CdTe缓冲层的应力和应变状况进行了分析.研究显示,对于一定厚度的CdTe外延薄膜,在从生长温度280℃降至室温20℃的过程中,由于和衬底存在热膨胀系数的差异,将在外延薄膜中产生热应力,使外延薄膜发生应变,并且这种应变取代了失配应变,在晶格畸变中占据主导地位.对于Si衬底,热应变表现为张应力;对于GaAs衬底,热应变表现为压应力.该研究结果对于进一步优化在大失配的异质衬底上外延同Hg1-xCdxTe材料晶格匹配的Cd1-yZnyTe材料的Zn组分具有指导意义.
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| 关 键 词： | CdTe/GaAs CdTe/Si 热应变 高分辨率多重晶多重反射X射线衍射 分子束外延 |
| 文章编号： | 1000-985X（2005）04-0729-05 |
| 收稿时间： | 12 28 2004 12:00AM |
| 修稿时间： | 2004-12-282005-02-20 |
Lattice Strain in MBE Grown CdTe Films on Si and GaAs Substrates |
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| WANG Yuan-Zhang,CHEN Lu,WU Yan,WU Jun,YU Mei-Fang,FANG Wei-zheng,HE Li.Lattice Strain in MBE Grown CdTe Films on Si and GaAs Substrates[J].Journal of Synthetic Crystals,2005,34(4):729-733. |
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| Authors: | WANG Yuan-Zhang CHEN Lu WU Yan WU Jun YU Mei-Fang FANG Wei-zheng HE Li |
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| Keywords: | CdTe/GaAs CdTe/Si thermal strain high-resolution multi-crystal multi-reflection X-ray diffraction(HRMCMRXD) molecular-beam epitaxy(MBE) |
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