| SOI新结构——SOI研究的新方向 |
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| 引用本文： | 谢欣云,林青,门传玲,安正华,张苗,林成鲁.SOI新结构——SOI研究的新方向[J].物理,2002,31(4):214-218. |
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| 作者姓名： | 谢欣云 林青 门传玲 安正华 张苗 林成鲁 |
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| 作者单位： | 谢欣云（中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海,200050）
林青（中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海,200050）
门传玲（中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海,200050）
安正华（中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海,200050）
张苗（中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海,200050）
林成鲁（中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海,200050） |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究专项经费(推准号:G20000365)资助项目 |
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| 摘 要： | SOI(silicon-on-insulator绝缘体上单晶硅薄膜)技术已取得了突破性的进展,但一般SOI结构是以SiO2作为绝缘埋层,以硅作为顶层的半导体材料,这样导致了一些不利的影响,限制了其应用范围.为解决这些问题和满足一些特殊器件/电路的要求,探索研究新的SOI结构成为SOI研究领域新的热点.如SOIM,GPSOI,GeSiOI,Si on AlN, SiCOI, GeSiOI,SSOI等.文章将结合作者的部分工作,报道SOI新结构研究的新动向及其应用.
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| 关 键 词： | SOI新结构 SOIM GPSOI GeSiOI Si on AlN |
| 修稿时间： | 2001年8月20日 |
NEW SOI STRUCTURE--RECENT PROGRESS ON SOI RESEARCH |
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