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一种高线性度相位插值器
引用本文:牛晓良,王征晨,桂小琰.一种高线性度相位插值器[J].微电子学,2016,46(4):441-444.
作者姓名:牛晓良  王征晨  桂小琰
作者单位:北京理工大学 微电子技术研究所, 北京 100081,北京理工大学 微电子技术研究所, 北京 100081,北京理工大学 微电子技术研究所, 北京 100081
基金项目:国家自然科学基金资助项目(61201040,6)
摘    要:设计并实现了一种高线性度相位插值器。分析了相位插值器的工作原理和传统相位插值器结构,以此为基础,提出了一种具有高线性度的相位插值器电路。该电路采用TSMC 90 nm CMOS工艺进行设计,后仿真结果表明本设计的相位插值器具有良好的线性度,整个电路版图面积为(155×368) μm2,核心电路面积为(63×114) μm2。在1.2 V的电源电压下,相位差值器模块电路的功耗为3.12 mW。

关 键 词:相位插值    时钟数据恢复    CMOS模拟集成电路

A High Linearity Phase Interpolation Circuit
NIU Xiaoliang,WANG Zhengchen and GUI Xiaoyan.A High Linearity Phase Interpolation Circuit[J].Microelectronics,2016,46(4):441-444.
Authors:NIU Xiaoliang  WANG Zhengchen and GUI Xiaoyan
Institution:Institute of Microelectronics, Beijing Institute of Technology, Beijing 100081, P. R. China,Institute of Microelectronics, Beijing Institute of Technology, Beijing 100081, P. R. China and Institute of Microelectronics, Beijing Institute of Technology, Beijing 100081, P. R. China
Abstract:
Keywords:
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