| 半导体硅上激光诱导选择性电镀铜 |
| |
| 引用本文： | 张国庆 龚正烈. 半导体硅上激光诱导选择性电镀铜[J]. 应用化学, 1997, 14(1): 33-36 |
| |
| 作者姓名： | 张国庆 龚正烈 |
| |
| 作者单位： | 天津大学应用化学系，天津理工学院 |
| |
| 摘 要： | 在ｐ型硅上利用氩离子激光进行了选择性电镀铜的研究，考察了半导体表面处理条件、阴极偏压和激光强度对阴极光电流及空间选择性的影响．表面氧化膜和阳极钝化膜的存在使光电流降低近一个数量级，少量氧化膜可使选择性提高．外加阴极偏压和激光强度的增加导致光电流增大，选择性降低．将氢氟酸处理的硅片在电解液中放置１０～２０ｍｉｎ，于稳定电位附近，用较弱激光照射可获得选择性铜镀层
|
| 关 键 词： | p－Si，激光诱导电镀，选择性，镀铜 |
| 收稿时间： | 1996-02-16 |
Laser Induced Selective Electroplating of Copper on Semiconductor Silicon |
| |
| Zhang Guoqing ,Yao Suwei,Liu Bing,Guo Hetong. Laser Induced Selective Electroplating of Copper on Semiconductor Silicon[J]. Chinese Journal of Applied Chemistry, 1997, 14(1): 33-36 |
| |
| Authors: | Zhang Guoqing Yao Suwei Liu Bing Guo Hetong |
| |
| Affiliation: | Zhang Guoqing *,Yao Suwei,Liu Bing,Guo Hetong |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | p type silicon laser induced electroplating selectivity copper plating |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《应用化学》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《应用化学》下载全文 |
