| C、Cu掺杂对MgB_2超导电性的影响 |
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| 引用本文： | 魏桂丹,孙爱民,平学琦,马金元,郑龙.C、Cu掺杂对MgB_2超导电性的影响[J].低温物理学报,2010(4). |
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| 作者姓名： | 魏桂丹 孙爱民 平学琦 马金元 郑龙 |
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| 作者单位： | 西北师范大学物理与电子工程学院;黑龙江省佳木斯市第十一中学; |
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| 摘 要： | 本文利用固相烧结法制备了一系列碳(C)、铜(Cu)掺杂的二硼化镁(MgB2)样品,并对样品进行细致的分析.X射线衍射图表明随着C掺杂量的增加c轴方向晶格常数几乎不变,a轴方向晶格常数略有减小,c/a随C掺杂量的增加逐渐增大,由此估算出了C的实际替代量,推测出此条件下C在MgB2中溶解度在12.5%和15%之间.电阻随温度变化关系(R～T)表明在Cu的掺杂量确定时,转变温度(Tc)随C的掺杂量的增大而降低。
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| 关 键 词： | MgB2 掺杂 晶格常数 转变温度 |
C,Cu-DOPING EFFECTS ON THE STRUCTURAL CHANG MgB_2 |
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| WEI Gui-dan SUN Ai-min PING Xue-qi MA Jin-yuan ZHENG Long College of Physics , Electronic Engineering of Northwest Normal University,Lanzhou , The Eleventh High School of Jiamusi,Heilongjiang Jiamusi.C,Cu-DOPING EFFECTS ON THE STRUCTURAL CHANG MgB_2[J].Chinese Journal of Low Temperature Physics,2010(4). |
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| Authors: | WEI Gui-dan SUN Ai-min PING Xue-qi MA Jin-yuan ZHENG Long College of Physics Electronic Engineering of Northwest Normal University Lanzhou The Eleventh High School of Jiamusi Heilongjiang Jiamusi |
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| Institution: | WEI Gui-dan1 SUN Ai-min1 PING Xue-qi2 MA Jin-yuan1 ZHENG Long1 1College of Physics and Electronic Engineering of Northwest Normal University,Lanzhou 730070,2 The Eleventh High School of Jiamusi,Heilongjiang Jiamusi 154004 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | MgB2 Doping Lattice parameter Tc |
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