| In_(1-x)Ga_xAs材料的LP-MOVPE生长 |
| |
| 引用本文： | 祝进田,杨树人,陈佰军,胡礼中,王本中,刘宝林,王志杰,刘式墉.In_(1-x)Ga_xAs材料的LP-MOVPE生长[J].吉林大学学报(理学版),1993(2). |
| |
| 作者姓名： | 祝进田 杨树人 陈佰军 胡礼中 王本中 刘宝林 王志杰 刘式墉 |
| |
| 作者单位： | 集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区，集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区，集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区，集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区，集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区，集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区，集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区，集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区 吉林大学电子科学系，长春 130023，吉林大学电子科学系，长春 130023，吉林大学电子科学系，长春 130023，吉林大学电子科学系，长春 130023，吉林大学电子科学系，长春 130023，吉林大学电子科学系，长春 130023，吉林大学电子科学系，长春 130023，吉林大学电子科学系，长春 130023 |
| |
| 摘 要： | 本文研究了用低压金属有机化学气相外延(LP-MOVPE)技术,以三甲基镓(TMG)、三乙基铟(TEIn)和AsH_3为原,在(100)InP衬底上生长In_(1-x)Ga_xAs外延层的生长条件,并用X射线单晶衍射仪和光电子能谱(XPS)仪给出了不同TEIn与TMG摩尔流量比下外延层的测量结果.
|
| 关 键 词： | 三甲基镓 三乙基铟 低压金属有机化学气相外延 |
In_1-xGa_xAs Material Growth by LP-MOVPE |
| |
| Zhu Jintian,Yang Shuren,Chen Baijun,Hu Lizhong,Wang Benzhong,Liu Baolin,Wang Zhijie,Liu Shiyong.In_1-xGa_xAs Material Growth by LP-MOVPE[J].Journal of Jilin University: Sci Ed,1993(2). |
| |
| Authors: | Zhu Jintian Yang Shuren Chen Baijun Hu Lizhong Wang Benzhong Liu Baolin Wang Zhijie Liu Shiyong |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | triethylindium trimethylgallium low pressure metalorganic vapor epitaxy |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
|
