| 带有射频偏压源的感性耦合Ar/O2/Cl2等离子体放电的混合模拟研究 |
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| 引用本文： | 佟磊,赵明亮,张钰如,宋远红,王友年.带有射频偏压源的感性耦合Ar/O2/Cl2等离子体放电的混合模拟研究[J].物理学报,2024(4):215-229. |
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| 作者姓名： | 佟磊 赵明亮 张钰如 宋远红 王友年 |
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| 作者单位： | 大连理工大学物理学院,三束材料改性教育部重点实验室 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号:12275041,11935005,12020101005)资助的课题~~； |
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| 摘 要： | 在刻蚀工艺中,通常会在感性耦合等离子体源的下极板上施加偏压源,以实现对离子能量和离子通量的独立调控.本文采用整体模型双向耦合一维流体鞘层模型,在Ar/O2/Cl2放电中,研究了偏压幅值和频率对等离子体特性及离子能量角度分布的影响.研究结果表明:当偏压频率为2.26 MHz时,随着偏压的增加,除了Cl-离子和ClO+离子的密度先增加后降低最后再增加外,其余带电粒子、O原子和Cl原子的密度都是先增加后基本保持不变最后再增加.当偏压频率为13.56和27.12 MHz时,除了Cl-离子和Cl2+离子外,其余粒子密度随偏压的演化趋势与低频结果相似.随着偏压频率的提高,在低偏压范围内(<200 V),由于偏压源对等离子体加热显著增加,导致了带电粒子、O原子和Cl原子的密度增加;而在高偏压范围内(>300 V),由于偏压源对等离子体加热先减弱后增强,导致除了Cl2+离子和Cl-
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| 关 键 词： | 感性耦合等离子体 偏压源 混合模型 离子能量 离子通量 |
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