含有偏置电压源的非齐次分数阶忆阻混沌电路动力学分析与实验研究 |
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作者姓名: | 吴朝俊 方礼熠 杨宁宁 |
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作者单位: | 1. 西安工程大学电子信息学院,西安市电气设备互联感知与智能诊断重点实验室;2. 西安理工大学电气工程学院 |
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基金项目: | 国家自然科学基金(批准号:51507134);;陕西省自然科学基金(批准号:2018JM5068,2021JM-449)资助的课题~~; |
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摘 要: | 物理忆阻器具有不对称的紧磁滞回线,为了更加简便地模拟物理忆阻器的不对称紧磁滞曲线,本文提出了一种含有偏置电压源的分数阶二极管桥忆阻器模型,其具有可连续调控磁滞回线的能力.首先,结合分数阶微积分理论,建立了含有偏置电压源的二极管桥忆阻器的分数阶模型,并对其电气特性进行分析.其次,将其与Jerk混沌电路相融合,建立了含有偏置电压源的非齐次分数阶忆阻混沌电路模型,研究了偏置电压对其系统动态行为的影响.再次,在PSpice中搭建了分数阶的等效电路模型,并对其进行电路仿真验证,实验结果与数值仿真基本一致.最后,在Lab VIEW中完成了电路实验,验证了理论分析的正确性与可行性.结果表明,含有偏置电压源的分数阶忆阻器,可以通过调控偏置电压源的电压,连续获得不对称紧磁滞回线.随着偏置电源电压的改变,非齐次分数阶忆阻混沌系统由于对称性的破环,表现出由倍周期分岔进入混沌的行为.
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关 键 词: | 忆阻器 混沌电路 分数阶微积分 电路实验 |
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