| 基于形变势理论的掺杂计算Sb2Se3空穴迁移率 |
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| 作者姓名： | 张冷 张鹏展 刘飞 李方政 罗毅 侯纪伟 吴孔平 |
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| 作者单位： | 1. 南京大学物理学院,固体微结构国家实验室;2. 金陵科技学院电子信息工程学院;3. 南京工业大学数理科学学院 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号:61904071,52002170)；;江苏省高校青蓝工程； |
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| 摘 要： | 硒化锑(Sb2Se3)是一种元素丰富、经济且无毒的太阳电池吸收层材料.太阳电池的性能在很大程度上取决于载流子的传输特性,然而在Sb2Se3中,这些特性尚未得到很好的理解.通过密度泛函理论和形变势理论,本文对纯Sb2Se3以及掺杂了As, Bi的Sb2Se3的空穴传输特性进行研究,计算并分析了影响迁移率的3个关键参数:有效质量、形变势和弹性常数.结果显示,有效质量对迁移率具有最大影响,掺杂Bi的Sb2Se3表现出最高的平均迁移率.同时发现, Sb2Se3的空穴迁移率呈现出明显的各向异性,其中x方向的迁移率远高于y,z方向,这应该与x方向的原子主要以较强的共价键连接,而y, z方向以较弱的范德瓦耳斯力连接有关.载流子传输能力强的方向有助于有效传输和收集光生载流子,本研究从理论上强调了控制Sb2Se3...
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| 关 键 词： | Sb2Se3 迁移率 形变势 掺杂 |
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