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| 高功率垂直腔面发射激光器阵列热特性 | |
| 作者姓名： | 闫观鑫 郝永芹 张秋波 |
| 作者单位： | 长春理工大学,高功率半导体激光国家重点实验室 |
| 基金项目： | 吉林省科技发展计划(批准号:20200401073GX)资助的课题~~； |
| 摘 要： | 为了改善垂直腔面发射激光器(VCSEL)阵列的热特性,提高器件的可靠性,本文基于有限元模型,研究了不同单元间距、排布方式对阵列器件的热串扰现象、热扩散性能的影响.在理论分析的基础上,制备了几种不同排布方式的VCSEL阵列器件,并对其进行测试分析.结果显示,相较于正方形排布方式,新型排布方式器件具有更高的输出功率,同时阈值电流也有所降低.其中五边形排布方式的器件表现出最佳的性能,其输出功率高达150 mW,比正方形排布方式提高了约73%.这表明通过调整阵列单元的间距、排列方式,可以使各单元间的热串扰现象得到有效改善,降低器件的热效应,进而降低器件温度,提高输出特性. |
| 关 键 词： | 垂直腔面发射激光器 阵列 热串扰 排布方式 |