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| GaAs/GaAlAs反应离子刻蚀腔面激光器 | |
| 引用本文： | 庄婉如,杨培生,陈纪瑛,李建中.GaAs/GaAlAs反应离子刻蚀腔面激光器[J].半导体学报,1991,12(8):477-481. |
| 作者姓名： | 庄婉如 杨培生 陈纪瑛 李建中 |
| 作者单位： | 集成光电子学国家联合实验室中国科学院半导体实验区 北京100083 (庄婉如，杨培生，陈纪瑛)，集成光电子学国家联合实验室中国科学院半导体实验区 北京100083(李建中) |
| 摘 要： | 采用反应离子刻蚀GaAs/GaAlAs双异质结构激光器的一个腔面,已经获得室温下连续激射的效果,其阈电流比解理腔面高18％左右,量子效率低14％左右. |
| 关 键 词： | GaAs／GaAlAS 离子刻蚀 腔面 激光器 |
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