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晶体生长的层错机制及其生长动力学
引用本文:闵乃本,砂川一郎,塚本■男. 晶体生长的层错机制及其生长动力学[J]. 物理学报, 1988, 37(5): 789-795
作者姓名:闵乃本  砂川一郎  塚本■男
作者单位:(1)南京大学物理系固体微结构实验室; (2)日本东北大学岩石矿物矿床研究所
摘    要:面心立方晶体中层错矢量为1/6<112>和1/3<111>的堆垛层错在生长面{111}上的露头处产生了亚台阶(sub-step)。基于亚台阶的原子图象的分析,本文讨论了层错生长机制及其生长动力学,证明了亚台阶处的成核势垒总是小于二维成核势垒,解释了近年来所观察到的堆垛层错作为生长台阶源的实验事实。关键词

收稿时间:1987-08-18

THE STACKING FAULT GROWTH MECHANISM AND ITS KINETICS
MIN NAI-BEN,I. SUNAGAWA and K. TSUKAMOTO. THE STACKING FAULT GROWTH MECHANISM AND ITS KINETICS[J]. Acta Physica Sinica, 1988, 37(5): 789-795
Authors:MIN NAI-BEN  I. SUNAGAWA  K. TSUKAMOTO
Abstract:The atomic configurations of sub-steps created on (111) growth surface of fee crystal by stacking faults with fault vectors 1/6〈112〉and 1/3〈111〉show that they can act as growth step sources. Growth kinetics of stacking fault growth mechanism has been analysed. It has been shown that the nucleation barrier at the sub-steps is always smaller than that of the 2-di-mensional nucleation.
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