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| 非晶硅的基本物理参数 | |
| 引用本文： | 颜一凡.非晶硅的基本物理参数[J].固体电子学研究与进展,1991,11(1):26-32. |
| 作者姓名： | 颜一凡 |
| 作者单位： | 湖南大学 长沙410012 |
| 摘 要： | <正>非晶硅(a-Si)的研究史,至少可以上溯20年.现在已经积累了关于这种材料性质的大量资料.但是,要凭现存这些资料,整理出一张完整和确切的a-Si物理参数表来却非常困难.因为,(1)a-Si是一种薄膜半导体材料,是采用辉光淀积(GD)、溅射(Sp)、蒸发)Ev)和化学汽相淀积(CVD)等方法制成的.但是,由不同的制备方法所生产的a-Si,其物理 |
| 关 键 词： | 非晶硅 物理参数 a－s： |
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