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| 应变Si—xGex／Si异质结材料的GSMBE生长及X射线双晶衍射研究 | |
| 引用本文： | 邹吕凡,王占国.应变Si—xGex／Si异质结材料的GSMBE生长及X射线双晶衍射研究[J].半导体学报,1997,18(5):333-336. |
| 作者姓名： | 邹吕凡 王占国 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 |
| 摘 要： | 用ＧＳＭＢＥ技术在国内首次研究了应变Ｓｉ１－ｘ Ｇｅｘ／Ｓｉ异质结材料的生长，并用Ｘ射线双晶线双晶衍射技术对样品进行了测试分析，对于Ｓｉ０．９１Ｇｅ０．０９和Ｓｉ０．８６Ｇｅ０．１４单层，其半宽度ＦＷＨＭ分别为１００〃和２０２〃，对于Ｓｉ０．８９Ｇｅ０．１１／Ｓｉ多量子阱，其卫星峰多达１５个以上，三种样品中的ＧｅＳｉ外延层干涉条纹清晰可见，结果表明，用ＧＳＭＢＥ技术生长的Ｓｉ－ｘＧｅｘ／Ｓｉ异质结 |
| 关 键 词： | GSMBE 异质结材料 外延生长 X射线双晶衍射 |
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