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| X波段输出功率2W GaInP／GaAsHBT | |
| 引用本文： | 雁南.X波段输出功率2W GaInP／GaAsHBT[J].固体电子学研究与进展,1994(4). |
| 作者姓名： | 雁南 |
| 摘 要： | Ｘ波段输出功率２Ｗ ＧａＩｎＰ／ＧａＡｓＨＢＴ据（（Ｍｉｃｒｏｗａｖ＆ＲＦ））１９９４年第４期报道，ＡＩＧａＡｓ是ＧａＡｓ为基底的ＨＢＴ发射区选用的材料。而ＧａｌｎＰ发射区具有以下特性：最高振荡频率超过１００ＧＨｚ，大于１００的高电流增益。据报道，已... |
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