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CO在不同氧缺陷Cu1/CeO2(110)表面的吸附:DFT+U
引用本文:张佳松,王辉,王宁,孙健伟,杨建成.CO在不同氧缺陷Cu1/CeO2(110)表面的吸附:DFT+U[J].燃料化学学报,2022(3):326-336.
作者姓名:张佳松  王辉  王宁  孙健伟  杨建成
作者单位:1. 哈尔滨工业大学能源科学与工程学院;2. 河北工业大学能源与环境工程学院
基金项目:国家自然科学基金(51676058)资助~~;
摘    要:本研究基于量子化学的密度泛函理论(DFT)研究了CO在理想和氧缺陷Cu1/Ce O2(110)表面上的吸附,并且对CO分子在催化剂表面不同位点的吸附特性进行了计算和分析。结果表明,Cu掺杂可以显著提高CO在催化剂表面的吸附性能,顶位是CO最稳定的吸附位,CO在空穴位上的吸附能力很弱。与理想表面相比,线性缺陷的构造可以进一步提高CO在催化剂表面的吸附性能。对吸附构型PDOS的分析表明,大量的轨道杂化是CO在Cu1/Ce O2(110)表面吸附性能较强的原因。

关 键 词:吸附  CO-SCR  氧缺陷  密度泛函理论  Cu掺杂
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