CO在不同氧缺陷Cu1/CeO2(110)表面的吸附:DFT+U |
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引用本文: | 张佳松,王辉,王宁,孙健伟,杨建成.CO在不同氧缺陷Cu1/CeO2(110)表面的吸附:DFT+U[J].燃料化学学报,2022(3):326-336. |
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作者姓名: | 张佳松 王辉 王宁 孙健伟 杨建成 |
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作者单位: | 1. 哈尔滨工业大学能源科学与工程学院;2. 河北工业大学能源与环境工程学院 |
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基金项目: | 国家自然科学基金(51676058)资助~~; |
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摘 要: | 本研究基于量子化学的密度泛函理论(DFT)研究了CO在理想和氧缺陷Cu1/Ce O2(110)表面上的吸附,并且对CO分子在催化剂表面不同位点的吸附特性进行了计算和分析。结果表明,Cu掺杂可以显著提高CO在催化剂表面的吸附性能,顶位是CO最稳定的吸附位,CO在空穴位上的吸附能力很弱。与理想表面相比,线性缺陷的构造可以进一步提高CO在催化剂表面的吸附性能。对吸附构型PDOS的分析表明,大量的轨道杂化是CO在Cu1/Ce O2(110)表面吸附性能较强的原因。
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关 键 词: | 吸附 CO-SCR 氧缺陷 密度泛函理论 Cu掺杂 |
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