| 多晶Li_(3+x)V_(1-x)T_xO_4(T=Ge,Si)离子导电性能的改善 |
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| 引用本文： | 王超英,王连忠,石磊,陈立泉.多晶Li_(3+x)V_(1-x)T_xO_4(T=Ge,Si)离子导电性能的改善[J].物理学报,1984(12). |
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| 作者姓名： | 王超英 王连忠 石磊 陈立泉 |
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| 作者单位： | 中国科学院物理研究所，中国科学院物理研究所，中国科学技术大学物理系，中国科学院物理研究所 83届毕业生 |
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| 摘 要： | 本文用阻抗谱方法研究了Li_(3+x)V_(1-x)T_xO_4(T=Si,Ge)多晶的离子导电性,发现一些工艺条件如成型压强、烧结时间和烧结程序对电导率有很大影响。注意分析了这些影响的物理起因。最佳工艺条件是:在大约8t/cm~2压强下成型样品。在1000℃连续烧结5至6天,烧结过程中,应尽量避免温度波动。在此条件下制备的Li_(3.5)V_(0.5)Ge_(0.5)O_4和Li_(3.3)V_(0.7)Si_(0.3)O_4多晶样品在25℃的离子电导率分别为2.2×10~(-5)Q~(-1)cm~(-1)和1.9×10~(-5)Q~(-1)cm~(-1)。
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