痕量硅的催化极谱测定 |
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引用本文: | 熊庆华,王蓉娟.痕量硅的催化极谱测定[J].分析化学,1984(5). |
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作者姓名: | 熊庆华 王蓉娟 |
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作者单位: | 中国科学院上海冶金研究所,中国科学院上海冶金研究所 |
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摘 要: | 硅的极谱测定有间接法,直接法与伏安法等。我们研究了在一定条件下使SiO_4~(2-)与MoO_4~(2-)形成β-12-硅钼酸。通过测定硅钼酸中组成钼的催化波来间接测定硅,灵敏度为7×10~(-10)M(0.02ppb)。本法应用于高纯铟中痕量硅的测定,可检测至4×10~(-6)%。实验仪器与试剂:8960型极谱仪(上海冶金所,上海分析仪器厂)。反渗透水;各种酸均为MOS级或亚沸蒸馏;钼酸铵(E.Merck,G.R);试样表面腐蚀剂为醋酸-硝酸-氢氟酸(5:15:2);极谱底液为2.5%氯酸钾-0.1M苯羟乙酸-0.5M硫酸。
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