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| MBE GaAs_(1-x)Sb_x/GaAs应变层量子阱的光调制反射光谱 | |
| 引用本文： | 池坚刚,赵文琴,李爱珍.MBE GaAs_(1-x)Sb_x/GaAs应变层量子阱的光调制反射光谱[J].物理学报,1989(10). |
| 作者姓名： | 池坚刚 赵文琴 李爱珍 |
| 作者单位： | 宁波师范学院物理系 (池坚刚)，中国科学院上海技术物理研究所红外物理开放研究实验室 (赵文琴)，中国科学院上海冶金研究所(李爱珍) |
| 摘 要： | 本文采用光调制反射光谱技术研究了MBEGaAs_(1-x)Sb_x/GaAs应变层量子阱。通过实验分析和理论上对受应力作用后能带结构的估算,确认在这一系统中流体静压力作用引起的能带结构变化主要出现在导带上,同时也证实了GaAs_(1-x)Sb_x/GaAs应变层量子阱属于第Ⅱ型量子阱结构。实验结果与理论估算符合很好。 |
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