| P型微晶硅薄膜材料性能的研究 |
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| 引用本文： | 蔡宏琨,张德贤,冯凯,齐龙茵,王雅欣,孙云.P型微晶硅薄膜材料性能的研究[J].人工晶体学报,2006,35(5):927-930. |
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| 作者姓名： | 蔡宏琨 张德贤 冯凯 齐龙茵 王雅欣 孙云 |
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| 作者单位： | 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津,300071 |
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| 基金项目： | 国家863项目(No.2002AA715081)，973项目(No.ZM200202A01)资助 |
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| 摘 要： | 本文讨论了P型微晶硅薄膜性能随硅烷浓度(SC)的变化.采用X射线衍射仪(XRD),拉曼光谱仪和傅立叶变换红外吸收光谱仪(FTIR)对薄膜的结构进行了表征.随硅烷浓度的增加,微晶硅薄膜材料的生长速率和暗电导率(σd)逐渐增大,光学带隙逐渐降低.当硅烷浓度为2.0;时,硅基薄膜材料是以非晶硅为主并有散落的微晶硅颗粒的非晶硅结构.当硅烷浓度为1.5;时,硼的掺杂效率最大,同时可观察到硼抑制薄膜晶化的现象.
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| 关 键 词： | 太阳电池 微晶硅 非晶硅 |
| 文章编号： | 1000-985X（2006）05-0927-04 |
| 收稿时间： | 03 30 2006 12:00AM |
| 修稿时间： | 2006-03-302006-06-05 |
Study on the Properties of P-type Microcrystalline Silicon Thin Films |
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| CAI Hong-kun,ZHANG De-xian,FENG Kai,QI Long-yin,WANG Ya-xin,SUN Yun.Study on the Properties of P-type Microcrystalline Silicon Thin Films[J].Journal of Synthetic Crystals,2006,35(5):927-930. |
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| Authors: | CAI Hong-kun ZHANG De-xian FENG Kai QI Long-yin WANG Ya-xin SUN Yun |
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| Institution: | Institute of Photo-electronics Thin Film Devices and Technique of Nankai University, Tianjin 300071, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | |
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