单点圆形模型──直线四探针测量金属/半导体的接触电阻率 |
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引用本文: | 华文玉,陈存礼.单点圆形模型──直线四探针测量金属/半导体的接触电阻率[J].半导体学报,1993,14(12):760-69. |
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作者姓名: | 华文玉 陈存礼 |
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作者单位: | 华东工学院应用物理系,南京大学物理系 南京 210014,南京 210008 |
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摘 要: | 本文提出一种用直线四探针测量金属/半导体欧姆接触的接触电阻率ρ_c的简捷方法──单点圆形模型。样品制备只需一个圆形金属电极,导出了ρ_c的表达式。如果样品不是半无限大,而是有一定厚度的薄片,则必须进行修正,给出了导电与绝缘界面两种情况的修正因子。根据这个模型,进行实验测量和计算,所得结果与文献报道一致。
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关 键 词: | 金属-半导体 电阻率 多探针 测量 |
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