| 一种制备稳定高效光致发光氧化多孔硅的新方法 |
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| 引用本文： | 李洪亮,翟江,万勇,郭培志,于建强,赵修松. 一种制备稳定高效光致发光氧化多孔硅的新方法[J]. 发光学报, 2008, 29(5) |
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| 作者姓名： | 李洪亮 翟江 万勇 郭培志 于建强 赵修松 |
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| 作者单位： | 青岛大学纤维新材料与现代纺织实验室,国家重点实验室培育基地,青岛大学化学化工与环境学院,山东,青岛,266071;潍坊教育学院,化学工程系,山东,青州,262500;青岛大学,物理学院,山东,青岛,266071 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，青岛大学引进人才启动基金，山东省高教访学基金 |
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| 摘 要： | 对比研究了经20%的硝酸、浓硫酸,以及半导体工业中用于氧化清洗单晶硅表面的SC-1(1:1:5,体积比,NH4OH/H2O2/H2O,也称RCA-1)和SC-2(1:1:6的HCl/H2O2/H2O,也称RCA-2)氧化液氧化的多孔硅表面组成以及光致发光性质的差异。发现SC-1氧化液能在几十秒的时间内将多孔硅表面的Si-Hx(x=1～3)氧化掉,形成稳定的氧化层,得到具有较强的光致发光性能的氧化多孔硅。而硝酸、浓硫酸和SC-2液在相同温度下处理10min的多孔硅表面的(O)xSi-Hy振动峰仍很明显,前两者处理后的多孔硅发光强度很弱,SC-1处理后的样品虽然发光较强,但不稳定。结合SC-1的组成和多孔硅表面Si-Hx的性质,对反应结果进行了解释。将SC-1和SC-2结合使用,所得的氧化多孔硅具有强的且稳定的光致发光特性。
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| 关 键 词： | 多孔硅 光致发光 SC-1溶液 化学氧化 |
Preparation of the Oxidized Porous Silicon with Stable Surface Composition and Intense Photoluminescence |
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| LI Hong-liang,ZHAI Jiang,WAN Yong,GUO Pei-zhi,YU Jian-qiang,ZHAO Xiu-song. Preparation of the Oxidized Porous Silicon with Stable Surface Composition and Intense Photoluminescence[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2008, 29(5) |
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| Authors: | LI Hong-liang ZHAI Jiang WAN Yong GUO Pei-zhi YU Jian-qiang ZHAO Xiu-song |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | porous silicon photoluminescence SC-1 chemical oxidation |
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