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| 掺锗CZSi中光致发光谱的研究 | |
| 引用本文： | 闫书霞,张维连.掺锗CZSi中光致发光谱的研究[J].半导体杂志,1996,21(3):18-20. |
| 作者姓名： | 闫书霞 张维连 |
| 作者单位： | 河北工业大学材料中心天津 |
| 摘 要： | 本文研究了掺有不同浓度锗的直拉硅在温度３５０℃－５５０℃等时退火后的光致发光谱。结果发现：杂质锗使硅材料的本征激光峰强的增加，ＰＬ谱随着锗浓度的增加，峰位向低能端移动，ＰＬ峰变宽。 |
| 关 键 词： | 直拉硅 掺杂 光致发光谱 退火 锗 |
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