| 碱性条件下硬盘NiP基板抛光速率正交试验分析 |
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| 引用本文： | 项霞,刘玉岭,刘金玉,穆会来.碱性条件下硬盘NiP基板抛光速率正交试验分析[J].半导体技术,2010,35(8):753-756. |
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| 作者姓名： | 项霞 刘玉岭 刘金玉 穆会来 |
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| 作者单位： | 河北工业大学微电子研究所,天津,300130;河北工业大学微电子研究所,天津,300130;河北工业大学微电子研究所,天津,300130;河北工业大学微电子研究所,天津,300130 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目，高等学校博士学科点专项科研基金资助项目，河北省教育厅科学研究计划项目，天津市自然科学基金科技展计划项目 |
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| 摘 要： | 利用单面抛光机和SiO2碱性抛光液进行了以硬盘NiP基板CMP去除速率为考核指标的工艺试验.针对抛光速率是受各个工艺因素共同影响这一特性,应用正交试验方法分析了CMP中5个重要工艺参数(抛光压力、抛光液流量、抛光盘转速、抛光液浓度,氧化剂质量分数)对硬盘NiP基板抛光去除速率的影响规律,并结合抛光机理对其进行了分析.试验分析表明,抛光压力为0.2 MPa,抛光液流量为500 mL/min,抛光盘转速为50 r/min,磨料质量分数为20%,氧化剂体积分数为0.3%时,可以得到较高的抛光速率,为740 nm/min.
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| 关 键 词： | 硬盘NiP基板 化学机械抛光 碱性抛光液 抛光速率 正交试验 |
Orthogonal Experiment and Analysis on Polishing Rate of NiP Disk Substrates Under Alkaline Conditions |
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| Xiang Xia,Liu Yuling,Liu Jinyu,Mu Huilai.Orthogonal Experiment and Analysis on Polishing Rate of NiP Disk Substrates Under Alkaline Conditions[J].Semiconductor Technology,2010,35(8):753-756. |
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| Authors: | Xiang Xia Liu Yuling Liu Jinyu Mu Huilai |
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| Institution: | Xiang Xia,Liu Yuling,Liu Jinyu,Mu Huilai(Institute of Microelectronics,Hebei University of Technology,Tianjin 300130,China) |
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| Abstract: | Technology test has been taken using single-sided polishing machine and SiO2 alkaline slurry,the index is the substrate removal rate of NiP disk substrate in the process of CMP.In response to the feature that polishing rate is affected by the combined effect of all factors,the orthogonal experiment to analyse the influence law of five main factor(polishing pressure,slurry flow,plate rotation speed,slurry concentration,oxidant concentration)on the rate were designde and analyzed,according to the polishing me... |
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| Keywords: | NiP disk substrates chemical mechanical polishing(CMP) alkaline slurry polishing rate orthogonal experiment |
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