| GaN的补偿度与离子束沟道最小产额比的关系的研究 |
| |
| 引用本文： | 姚冬敏,王立,熊传兵,彭学新,江风益.GaN的补偿度与离子束沟道最小产额比的关系的研究[J].发光学报,2000,21(2):109-114. |
| |
| 作者姓名： | 姚冬敏 王立 熊传兵 彭学新 江风益 |
| |
| 作者单位： | 南昌大学,材料科学研究所,江西南昌,330047 |
| |
| 基金项目： | 国家863新材料领域!（715－001—0012），国家自然科学基金!（69676019），江西省跨世纪人才基金等资助 |
| |
| 摘 要： | 用ＲＢＳ／沟道技术对ＭＯＣＶＤ生长的未故意掺杂的ＧａＮ的结构性能进行了测试，同时用霍耳方法测试了样品的电学性能。结果表明：ＧａＮ薄膜的背散射沟道说与随机谱之比Ｘｍｉｎ和其补偿度存在一定的依赖关系。补偿度小的样品，其Ｘｍｉｎ小；随着样品补偿度的增大，Ｘｍｉｎ也逐渐增大；但它们之间的知系变化是非线性的。对这些结果给予了一定的解释。
|
| 关 键 词： | 氮化缘 离子束沟道 补偿度 |
| 修稿时间： | 1999-07-20 |
Relationship between Compensation and Ion Channeling Minimum Yield in GaN |
| |
| YAO Dong-min,WANG Li,XIONG Chuan-bing,PENG Xue-xin,JIANG Feng-yi.Relationship between Compensation and Ion Channeling Minimum Yield in GaN[J].Chinese Journal of Luminescence,2000,21(2):109-114. |
| |
| Authors: | YAO Dong-min WANG Li XIONG Chuan-bing PENG Xue-xin JIANG Feng-yi |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | GaN ion channeling compensatio |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
|
