| 具有分形结构的SiC/SiO2界面的粗糙散射 |
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| 引用本文： | 陈文建,谢家纯,徐军,胡林辉,董晓波.具有分形结构的SiC/SiO2界面的粗糙散射[J].计算物理,2004,21(4):311-315. |
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| 作者姓名： | 陈文建 谢家纯 徐军 胡林辉 董晓波 |
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| 作者单位： | 中国科学技术大学物理系, 安徽 合肥 230026 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(NSFC-50132040)及中科院创新项目(KJCX2-SW-04)资助项目 |
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| 摘 要： | 用结构函数的方法建立了SiC粗糙表面的分形模型,用rms粗糙度Δ,分形维数D,以及相关长度L三个参量来刻画表面高度的自协方差函数,并提出了参数的计算方法.在此分形模型的基础上,能计算出SiC/SiO2界面对沟道电子的粗糙散射.
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| 关 键 词： | 分形 SiC 界面粗糙散射 MOSFET |
| 文章编号： | 1001-246X(2004)04-0311-05 |
| 收稿时间： | 2003-06-03 |
| 修稿时间： | 2003年6月3日 |
The Coarse Dispersion of SiC/SiO2 Fractal Interface |
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| CHEN Wen-jian,XIE Jia-chun,XU Jun,HU Lin-hui,DONG Xiao-bo.The Coarse Dispersion of SiC/SiO2 Fractal Interface[J].Chinese Journal of Computational Physics,2004,21(4):311-315. |
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| Authors: | CHEN Wen-jian XIE Jia-chun XU Jun HU Lin-hui DONG Xiao-bo |
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| Institution: | Physics Department, University of Science and Technology of China, Hefei 230026, China |
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| Abstract: | A fractal model of coarse surface of SiC by using structure function is presented.Three parameters rms roughness Δ,fractal dimension D,and correlative length L are used to describe the covariance function of surface height.The method calculating these parameters is also given.With the present model,one can calculate the coarse dispersion of SiC/SiO2 fractal interface to channel electrons. |
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| Keywords: | fractal coarse interface dispersion MOSFET silicon carbide |
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