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| Ge_nMn(n≤8)团簇的电子结构与磁性的密度泛函理论研究 | |
| 作者姓名： | 白熙 吕瑾 高慧 杨金香 |
| 作者单位： | 长治医学院 |
| 摘 要： | 采用密度泛函理论下广义梯度近似方法,对Mn掺杂Ge基半导体团簇Ge_nMn(n≤8)的结构与磁性进行了理论研究.结果表明:Ge_nMn(n≤8)的最稳定构型与相应的Ge_(n+1)团簇相似.Mn掺杂后团簇的原子平均结合能与纯锗团簇比较近似;能量二次差分表明:Ge_3Mn和Ge_5Mn团簇较相邻团簇表现出较高的稳定性;当n=1,3和6时,HMO-LUMO能隙较大,n=2时,能隙较小,说明GeMn、Ge_3Mn和Ge_6Mn具有相对较好的化学稳定性,而Ge_2Mn具有较高的化学活性.对Ge_nMn(n≤8)团簇的磁性研究发现,除Ge_8Mn的总磁矩为1μB外,其他团簇的总磁矩均为3μB,且团簇的磁性主要来源于Mn原子. |
| 关 键 词： | 密度泛函理论；GenMn团簇；电子结构；磁性 |
| 收稿时间： | 2015-06-05 |
| 修稿时间： | 2015-06-27 |
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