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杂志ISSN号
用正电子湮没方法研究有机导体
作者姓名:
王蕴玉
周光明
朱道本
作者单位:
中国科学院高能物理研究所 北京(王蕴玉,周光明),中国科学院化学研究所 北京(朱道本)
摘 要:
本文测量一些新的复合物型有机导体中正电子湮没的寿命谱,线形参数和3γ湮没的相对产额.结果表明,在电荷完全转移的绝缘体和电荷部分转移的导体中,正电子湮没特征有明显的差别.湮没寿命和S参数与该类材料的电导率之间有很强的依赖关系.根据正电子湮没特征讨论了这类材料可能的导电机理.
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