| 金属的化学-机械抛光技术研究进展 |
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| 引用本文： | 何捍卫,胡岳华,周科朝,徐竞. 金属的化学-机械抛光技术研究进展[J]. 应用化学, 2003, 20(5): 415-0 |
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| 作者姓名： | 何捍卫 胡岳华 周科朝 徐竞 |
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| 作者单位： | 中南大学 |
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| 基金项目： | 国家杰出青年科学基金资助 ( 5 992 5 412 ) |
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| 摘 要： | 介绍了近年来金属化学—机械抛光(CMP)技术的一些研究进展。内容包括CMP技术的实验方法进展与抛光效果的表征，CMP设备与消耗品的发展。分析了目前CMP技术存在的问题，提出了可能解决问题的一些建议。认为定量CMP速率方程的建立是解决好终点在线检测的关键之一。
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| 关 键 词： | 综述 金属的化学-机械抛光技术研究进展 |
| 文章编号： | 1000-0518(2003)05-0415-05 |
| 收稿时间： | 2009-06-29 |
| 修稿时间： | 2002-08-29 |
Recent Advancement of Chemical-Mechanical Polishing Technology of Metal |
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| HE Han Wei a ,HU Yue Hua b,ZHOU Ke Chao a,XU Jin b. Recent Advancement of Chemical-Mechanical Polishing Technology of Metal[J]. Chinese Journal of Applied Chemistry, 2003, 20(5): 415-0 |
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| Authors: | HE Han Wei a HU Yue Hua b ZHOU Ke Chao a XU Jin b |
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| Affiliation: | HE Han Wei a *,HU Yue Hua b,ZHOU Ke Chao a,XU Jin b |
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| Abstract: | Recent researches on chemical mechanical polishing(CMP) technology are reviewed, which include the advancements of CMP experimental methods, the characterization of the polishing effectiveness, the developments of CMP equipments and expendables. The troubles occurred in CMP technology are analyzed and some suggestions are proposed. It is concluded that establishment of a quantitative CMP rate equation is one of the key points in carring out the in situ terminal checkout. |
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| Keywords: | metal chemical mechanical polishing review |
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