| 高能Pb离子辐照注碳SiO2的红外谱研究 |
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| 引用本文： | 赵志明,王志光,A.Benyagoub,M.Toulemonde,F.Levesque,宋银,金运范,孙友梅.高能Pb离子辐照注碳SiO2的红外谱研究[J].中国物理 C,2005,29(8):824-829. |
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| 作者姓名： | 赵志明 王志光 A.Benyagoub M.Toulemonde F.Levesque 宋银 金运范 孙友梅 |
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| 作者单位： | 赵志明（中国科学院近代物理研究所,兰州,730000;中国科学院研究生院,北京,100049）;王志光（中国科学院近代物理研究所,兰州,730000）;A.Benyagoub（CIRIL, BP5133, 14070 Caen Cedex 05, France）;M.Toulemonde（CIRIL, BP5133, 14070 Caen Cedex 05, France）;F.Levesque（CIRIL, BP5133, 14070 Caen Cedex 05, France）;宋银（中国科学院近代物理研究所,兰州,730000）;金运范（中国科学院近代物理研究所,兰州,730000）;孙友梅（中国科学院近代物理研究所,兰州,730000） |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金（10125522,10475102）和中国科学院“西部之光”基金资助 |
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| 摘 要： | 室温下，先用120keV的C离子注入二氧化硅薄膜样品至剂量2.0×1017、5.0×1017或8.6×1017ions/cm2，再用950MeV的Pb离子分别辐照至剂量5.0×1011、1.0×1012或3.8×1012 ions/cm2，然后测量样品的傅里叶变换红外(FTIR)光谱. 通过分析测量得到的傅里叶变换红外谱，发现Pb离子辐照在注碳SiO2样品中可引起大量的Si－C和Si (C)－O－C等化学键的形成，大剂量Pb离子辐照可在大剂量注碳的SiO2中产生分子CO2. 大量的Si－C键的存在和分子CO2的形成，预示着高能Pb离子辐照在注碳SiO2样品中有可能形成了纳米Si团簇和/或SiC晶粒.
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| 关 键 词： | 低能离子注入 高能重离子辐照 原子混合 FTIR谱 相变 成键 |
| 收稿时间： | 2004-11-24 |
| 修稿时间： | 2004-11-24 |
FTIR Study of C-Implanted SiO2 after High-Energy Pb-Ion Irradiation |
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| ZHAO Zhi-Ming , WANG Zhi-Guang , A.Benyagoub M.Toulemonde F.Levesque SONG Yin JIN Yun-Fan SUN You-Mei.FTIR Study of C-Implanted SiO2 after High-Energy Pb-Ion Irradiation[J].High Energy Physics and Nuclear Physics,2005,29(8):824-829. |
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| Authors: | ZHAO Zhi-Ming WANG Zhi-Guang ABenyagoub MToulemonde FLevesque SONG Yin JIN Yun-Fan SUN You-Mei |
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| Institution: | ZHAO Zhi-Ming 1,3 WANG Zhi-Guang 1,1) A.Benyagoub2 M.Toulemonde2 F.Levesque2 SONG Yin1 JIN Yun-Fan1 SUN You-Mei1 1 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | low energy ion implantation high-energy heavy ion irradiation atom-mixing FTIR spectrum phase transition bonding formation |
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