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| 钌（Ⅱ）－联吡啶－巴比妥酸－Ce（Ⅳ）化学发光体系测定巴比妥酸的研究 | |
| 作者姓名： | 罗挽兰 高华 何治柯 罗庆尧 曾云鹗 |
| 作者单位： | 武汉大学化学系，湖北省咸宁师范高等专科学校，湖北省孝感师范高等专科学校 |
| 摘 要： | 利用巴比妥酸对Ｃｅ（Ⅳ）氧化钌（Ⅱ）－联吡啶化学发光反应的增强作用，建立了痕量巴比妥酸的自动脉冲注射化学发光测定法方法的检出限为１０×１０－９ｇ／ｍＬ，线性范围为５０×１０－８－６．２×１０－５ｇ／ｍＬ巴比妥酸的衍生物如巴比妥、苯巴比妥和戊巴比妥对Ｃｅ（Ⅳ）氧化钌（Ⅱ）联吡啶化学发光反应无增强作用据此对合成样中巴比妥酸作选择性检测探讨了巴比妥酸的增强机理 |
| 关 键 词： | 化学发光 钌（Ⅱ）－联吡啶 巴比妥酸 |
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