| 碳化物价电子结构及其界面电子密度分析 |
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| 引用本文： | 孙家涛,范润华,刘冰,陈云,尹衍升. 碳化物价电子结构及其界面电子密度分析[J]. 人工晶体学报, 2004, 33(3): 316-319 |
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| 作者姓名： | 孙家涛 范润华 刘冰 陈云 尹衍升 |
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| 作者单位： | 山东大学材料液态结构及其遗传性教育部重点实验室,济南,250061 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金 ( 5 0 2 42 0 0 8)资助 |
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| 摘 要： | 运用固体与分子经验电子理论计算了六种过渡金属碳化物(MC)的价电子结构及其部分低指数晶面的电子密度.计算结果表明:MC最强键为最近邻M-C键,相邻(111)面间以最强键结合,滑移困难.通过对NiAl和MC的不同晶面的共价电子密度的分析发现:(110)NiAl和(100)MC在一级近似范围内基本上保持连续;采取适当的制备工艺,使复合材料中存在尽可能多的(110)NiAl∥(100)MC,有可能使这种复合材料具有更优异的力学性能.
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| 关 键 词： | 界面 碳化物 价电子结构 金属间化合物, |
| 文章编号： | 1000-985X(2004)03-0316-04 |
Analysis of Valence Electron Structure and Interface Electron Density of Carbide |
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| SUN Jia-tao,FAN Run-hua,LIU Bing,CHEN Yun,YIN Yan-sheng. Analysis of Valence Electron Structure and Interface Electron Density of Carbide[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2004, 33(3): 316-319 |
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| Authors: | SUN Jia-tao FAN Run-hua LIU Bing CHEN Yun YIN Yan-sheng |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | composites interface carbides valence electron structure intermetallic compound |
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