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| 衬底温度对氢化微晶硅锗薄膜生长的影响 | |
| 作者姓名： | 张丽平 张建军 张鑫 孙建 赵颖 |
| 作者单位： | 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津,300071;天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室,天津,300071 |
| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划，天津市应用基础及前沿技术研究计划，科技部基础研究973项目 |
| 摘 要： | 采用VHF-PECVD技术在玻璃衬底上沉积微晶硅锗薄膜.研究了衬底温度对微晶硅锗薄膜的微结构和光电特性的影响.结果表明:随着衬底温度的升高,微晶硅锗薄膜的生长速率减小,(220)晶向强度增强;而同一衬底温度下,锗浓度的增加将抑制薄膜(220)晶向的生长,通过相应地提高衬底温度可以解决这一问题.利用生长基团在薄膜生长表面的扩散理论对实验结果进行了解释. |
| 关 键 词： | 氢化微晶硅锗薄膜 衬底温度 光、暗电导率, |
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