| In0.17Al0.83N在碱性溶液中的化学湿法腐蚀行为研究 |
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| 引用本文： | 邢东,冯志红,王晶晶,刘波,尹甲运,房玉龙.In0.17Al0.83N在碱性溶液中的化学湿法腐蚀行为研究[J].半导体技术,2013(2):118-121. |
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| 作者姓名： | 邢东 冯志红 王晶晶 刘波 尹甲运 房玉龙 |
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| 作者单位： | 专用集成电路重点实验室 |
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| 摘 要： | 介绍了In0.17Al0.83N在质量分数10%的四甲基氢氧化铵(TMAH)碱性溶液中的腐蚀行为实验研究。通过扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)观察腐蚀样品,发现其腐蚀机理是起源于晶体中线位错缺陷的侧向腐蚀。这是由于线位错在In0.17Al0.83N晶体表面的交汇处与周围晶体相比,具有较高的化学不稳定性,容易被腐蚀,形成缺陷腐蚀坑。随着腐蚀的进一步发生,暴露在腐蚀液中的腐蚀坑侧壁,更容易受到腐蚀,造成了以侧向腐蚀为主的腐蚀。AFM和SEM观察到的大多数腐蚀坑是与InAlN晶体中的螺位错、刃位错或混合位错有关。这种腐蚀方法适合在宽禁带半导体制造中以InAlN为牺牲层的工艺上应用。
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| 关 键 词： | In0.17Al0.83N 湿法腐蚀行为 碱性溶液 线位错 牺牲层 |
Wet Etching Behavior Studies of In0.17Al0.83N in Alkali Solutions |
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| Xing Dong,Feng Zhihong,Wang Jingjing,Liu Bo,Yin Jiayun,Fang Yulong.Wet Etching Behavior Studies of In0.17Al0.83N in Alkali Solutions[J].Semiconductor Technology,2013(2):118-121. |
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| Authors: | Xing Dong Feng Zhihong Wang Jingjing Liu Bo Yin Jiayun Fang Yulong |
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| Institution: | (Science and Technology on ASIC laboratory,Shijiazhuang 050051,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | |
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