| n-型有机半导体插入层提高p-型并五苯薄膜晶体管性能 |
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| 引用本文： | 李谊,刘琪,蔡婧,王喜章,胡征.n-型有机半导体插入层提高p-型并五苯薄膜晶体管性能[J].无机化学学报,2013,29(18). |
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| 作者姓名： | 李谊 刘琪 蔡婧 王喜章 胡征 |
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| 作者单位： | 南京大学化学化工学院, 介观化学教育部重点实验室, 南京 210093;南京大学(苏州)高新技术研究院, 苏州 215123;南京大学化学化工学院, 介观化学教育部重点实验室, 南京 210093;南京大学(苏州)高新技术研究院, 苏州 215123;南京大学化学化工学院, 介观化学教育部重点实验室, 南京 210093;南京大学(苏州)高新技术研究院, 苏州 215123;南京大学化学化工学院, 介观化学教育部重点实验室, 南京 210093;南京大学(苏州)高新技术研究院, 苏州 215123;南京大学化学化工学院, 介观化学教育部重点实验室, 南京 210093;南京大学(苏州)高新技术研究院, 苏州 215123 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金（No.21173114），“973”项目（No.2013CB932902），苏州市科技发展计划项目（No.ZXG2013025）资助项目。 |
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| 摘 要： | 在金电极和p-型并五苯有源层之间插入n-型有机半导体层显著提高了并五苯薄膜场效应晶体管的性能。在插入2 nm厚的N，N-bis（2，2，3，3，4，4，5，5，6，6，7，7，8，8，8-pentadecafluorooctyl） -1，4，5，8-naphthalenetetracarboxylic diimide（NTCDI-C8F）和N，N’-dioctyl-3，4，9，10-perylenedicarboximide （PTCDI-C8）层后，器件的阈值电压由-19.4 V显著降低到-1.8和-8.7 V、迁移率提高了约2倍、电流开关比保持在105~106。这为通过简单地在电极和有机半导体有源层之间引入其他有机半导体薄层的方法来构建具有低阈值电压和高迁移率特征的有机薄膜场效应晶体管器件提供思路。
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| 关 键 词： | 有机薄膜晶体管 n-型有机半导体 插入层 阈值电压 迁移率 |
| 收稿时间： | 5/4/2014 12:00:00 AM |
Improved Performance of p-type Pentacene Thin Film Transistor by Inserting Thin Interlayer of n-type Organic Semiconductor |
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| LI Yi,LIU Qi,CAI Jing,WANG Xi-Zhang and HU Zheng.Improved Performance of p-type Pentacene Thin Film Transistor by Inserting Thin Interlayer of n-type Organic Semiconductor[J].Chinese Journal of Inorganic Chemistry,2013,29(18). |
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| Authors: | LI Yi LIU Qi CAI Jing WANG Xi-Zhang and HU Zheng |
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| Institution: | Key Laboratory of Mesoscopic Chemistry of Ministry of Education, School of Chemistry and Chemical Engineering, Nanjing University, Nanjing, 210093, China;High-Tech Reserch Institute of Nanjing University (Suzhou), Suzhou, Jiangsu 215123, China;Key Laboratory of Mesoscopic Chemistry of Ministry of Education, School of Chemistry and Chemical Engineering, Nanjing University, Nanjing, 210093, China;High-Tech Reserch Institute of Nanjing University (Suzhou), Suzhou, Jiangsu 215123, China;Key Laboratory of Mesoscopic Chemistry of Ministry of Education, School of Chemistry and Chemical Engineering, Nanjing University, Nanjing, 210093, China;High-Tech Reserch Institute of Nanjing University (Suzhou), Suzhou, Jiangsu 215123, China;Key Laboratory of Mesoscopic Chemistry of Ministry of Education, School of Chemistry and Chemical Engineering, Nanjing University, Nanjing, 210093, China;High-Tech Reserch Institute of Nanjing University (Suzhou), Suzhou, Jiangsu 215123, China;Key Laboratory of Mesoscopic Chemistry of Ministry of Education, School of Chemistry and Chemical Engineering, Nanjing University, Nanjing, 210093, China;High-Tech Reserch Institute of Nanjing University (Suzhou), Suzhou, Jiangsu 215123, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | organic thin film transistors n-type organic semiconductor interlayer threshold voltage mobility |
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