| 一种用于氮化镓晶体管建模的TRL 校准方法 |
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| 引用本文： | 张,丽,刘太君,叶,焱,许高明.一种用于氮化镓晶体管建模的TRL 校准方法[J].微波学报,2022,38(4):63-66. |
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| 作者姓名： | 张 丽 刘太君 叶 焱 许高明 |
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| 作者单位： | 宁波大学 信息科学与工程学院,宁波 315211 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(U1809203,62071264) |
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| 摘 要： | 直通-反射-延迟线(TRL)校准相对于短路-开路-负载-直通(SOLT)校准是一种更加准确且易于实现的
校准方法,尤其适用于二端口及多端口的非同轴测量。文中针对Wolfspeed 公司的氮化镓晶体管CGH40010F 的S 参数
测量问题,分析讨论了TRL 校准在网络分析仪中的误差盒模型,在此基础上设计制作了一套TRL 校准件,其工作频率
范围为1~6 GHz,在此频段内直通和延迟线均达到Sii(i =1,2)幅值小于-15 dB,Sij(i,j =1,2;i≠j)幅值大于-0. 8 dB;将
该校准件特性指标内置到矢量网络分析仪中进行校准测试,实测结果表明,经过TRL 校准后的氮化镓晶体管小信号S
参数与官方数据手册中一致,验证了该校准测量方法及据此设计制作的TRL 校准件是有效的。
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| 关 键 词： | 直通-反射-延迟线校准 非同轴测量 氮化镓晶体管 矢量网络分析仪 误差盒模型 |
A TRL Calibration Method for GaN Transistor Modeling |
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| ZHANG Li,LIU Tai-jun,YE Yan,XU Gao-ming.A TRL Calibration Method for GaN Transistor Modeling[J].Journal of Microwaves,2022,38(4):63-66. |
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| Authors: | ZHANG Li LIU Tai-jun YE Yan XU Gao-ming |
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| Institution: | Faculty of Electrical Engineering and Computer Science, Ningbo University, Ningbo 315211, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | thru-reflect-line calibration (TRL) non-coaxial measurement GaN transistor vector network analyzer error-box model |
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